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本发明提供一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法，该红黄GaAs系LED芯片包括依次层叠设置的GaAs衬底、外延层、高掺GaP层以及反射层，所述高掺GaP层包括依次设置的第一碳掺GaP层、第二碳掺GaP层、第三碳掺GaP层以及第四碳掺GaP...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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