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本发明公开了一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器，二极管结构包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括堆叠设置于P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于布线层内且靠近浅槽隔离层；若干光源感应...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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