温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法，所述结构包括金刚石衬底层、外延结构、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第一介质层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极以及第二介质层，其中，外延结构设置在金...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。