温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法，通过在铜箔表面进行掺杂元素沉积，在铜箔表面形成掺杂元素薄膜，经过高温退火后获得质地均匀的铜合金箔作为基板；使用常压化学气相沉积方法，将基板放入常压CVD生长炉中，随后通入保护气体，使常压...
该专利属于化学与精细化工广东省实验室潮州分中心所有，仅供学习研究参考，未经过化学与精细化工广东省实验室潮州分中心授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。