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本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。所述方法包括：将有源层端部暴露在空气中的含铝晶片放...
该专利属于陕西源杰半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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