温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlN/AlGaN超晶格层、AlG...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。