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提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板，也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜...
该专利属于布鲁尔科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过布鲁尔科技公司授权不得商用。

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