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本实用新型提供一种硅背刻蚀FBAR谐振器，该谐振器按照从下向上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和压电层；所述支撑层下方形成有空腔，并且所述支撑层部分暴露在所述空腔中，所述空腔的侧壁由所述硅衬底形成；所述支撑层和所述压电层之间设有下电极层，所述压...
该专利属于河源市艾佛光通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市艾佛光通科技有限公司授权不得商用。

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