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无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置制造方法及图纸
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文档序号:33564905
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本发明公开一种无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置,方法包括:获取至少两种波长的单色激发光照射于待检测半导体形成的光致发光光谱图像,其中,每种波长的单色激发光照射在待检测半导体的同一区域;判断每个光致发光光谱图像中是否在特定波长范围内存在...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。
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