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本发明公开了极低电阻率的硅负极材料及其制备方法。一种极低电阻率的P型掺杂硅负极材料的制备方法，包括如下步骤：1）制备高掺杂浓度的P型硅熔体；2）控制硅熔体的温度在设定温度1420
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