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本发明公开了一种带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法，包括：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂p型金刚石外延层；n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；背面欧姆接触的制备；正面肖特基电极...该专利属于南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司授权不得商用。