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一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备制造技术
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文档序号:33548200
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本实用新型涉及一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备,包括激光器、光束指向调节系统、扩束镜、功率调节系统、刀口、第三合束镜、光束质量分析仪、积分镜、加热盘、运动平台、电脑、三色温热发射探测器和激光测距仪。功率调节系统由设置在光路上的...
该专利属于上海市激光技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过上海市激光技术研究所授权不得商用。
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