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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法技术
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下载掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法的技术资料
文档序号:33540381
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本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2),其中,相移膜(2)含有硅、氧及氮,相移膜(2)的氮的含量[原...
该专利属于HOYA株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过HOYA株式会社授权不得商用。
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