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本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种具有双重保护功能的GaN半桥驱动器。该驱动器是在传统电容耦合产生负压的基础上，利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，通过外部输入的控制信...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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