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本发明提供了一种集成体继流二极管的场效应晶体管、其制备方法及功率器件。该场效应管器件包括衬底、功能主体、栅介质、栅极和外电极，功能主体包括漂移外延区、阱区、源区、沟槽屏蔽区和第一栅极屏蔽区，功能主体中设置有槽口位于远离衬底的一侧表面的栅极沟...
该专利属于东莞理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过东莞理工学院授权不得商用。

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