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本发明公开了一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及制备方法，属于光电阴极技术领域，所述结构由下至上依次是半导体衬底、GaAs发射层和表面激活层，衬底为Si或者SiC等绝缘体，发射层的上表面被制成了金字塔形的绒面结构，然后对绒面发射层进...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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