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本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种基于石墨烯/氧化镓异质结的二极管，从下至上依次为ITO衬底、氧化镓薄膜、石墨烯薄膜和铝电极层，其制备方法依次由衬底刻蚀、衬底准备、溅射氧化镓薄膜、退火处理、制备石墨烯、转移石墨烯以及蒸镀电极等步骤组成。...
该专利属于昆明物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明物理研究所授权不得商用。

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