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本发明涉及一种消除重掺硼小角晶界的方法，所属重掺硼单晶硅加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：确认发生小角晶界不良的背景与原理。第二步：重掺硼单晶硅制备时，采用掺杂浓度小于9.05
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该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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