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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部电极层；在所述底部电极层上形成界面缓冲层，且所述界面缓冲层与所述底部电极层在同一制作设备中进行；在所述界面缓冲层上形成电介质层。所述方法形成方法半导体结构的性能较好。法...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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