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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有若干伪栅极结构；在所述基底上形成初始介质层，所述初始介质层位于所述伪栅极结构侧壁表面；刻蚀所述初始介质层，形成介质层，且所述介质层顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面；去除所述伪栅极结构...
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