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本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，包括：提供第一衬底，其内具有贯通的第一通孔；在第一通孔内形成第二衬底；在第一衬底和第二衬底上形成致密的耐腐蚀涂层；对耐腐蚀涂层和第二衬底进行局部加热处理，形成贯...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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