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本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，GaN基LED外延片包括依次层叠的第一低温P型GaN子层、第二低温P型GaN子层以及第三低温P型GaN子层，第一低温P型GaN子层和第二低温P型GaN子层皆为重掺Mg的AlInG...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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