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本发明涉及深紫外UVC芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：所述深紫外UVC外延结构包括衬底和生长在所述衬底一侧的功能层；所述功能层为AlGaN基功能层；将所述衬底的另一侧...
该专利属于至芯半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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