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本发明提出了一种半导体散热结构，包括：设置于半导体衬底内部的密封管道，密封管道内填充有吸热材料，吸热材料用于通过改变物质状态进行吸热。本发明的有益效果包括：本发明的半导体散热结构能够在保证芯片应对内部热量急速增长的同时，提升芯片的散热效率，...
该专利属于苏州浪潮智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州浪潮智能科技有限公司授权不得商用。

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