温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法，属于传感器生产领域。方法包括：根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列和单晶硅受离子轰击压力序列计算得到刻蚀质量第一指标；根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列、刻蚀片架旋转保持...
该专利属于淮安纳微传感器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安纳微传感器有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。