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本发明涉及无过量噪声的光电二极管，并提供了可以经由具有超晶格倍增区来使光电二极管(诸如线性模式雪崩光电二极管)不含过量噪声，该超晶格倍增区仅允许一种电流载流子类型(诸如电子或空穴)在被偏置时(其中层被晶格匹配)积聚足够的动能以进行碰撞电离。...
该专利属于斯坦福国际研究院所有，仅供学习研究参考，未经过斯坦福国际研究院授权不得商用。

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