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本发明提出了一种半导体结构及制备方法与应用，所述制备方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延层，且所述半导体外延层包括依次设置的第一类型半导体层、量子阱层和第二类型半导体层；通入第一类型气体，刻蚀所述半导体外延层一侧的...
该专利属于宁波安芯美半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波安芯美半导体有限公司授权不得商用。

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