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本发明公开了一种适用于双层梁结构的法布里珀罗加速度敏感芯片加工方法，包括以下步骤：首先在SOI晶圆的器件层刻蚀键合定位槽，完成后交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜，并图形化形成增反膜；之后利用剥离工艺制作铝掩蔽，并采用深反应离子刻蚀技术刻蚀释放弹簧...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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