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本发明公开了一种一体化法布里珀罗MEMS加速度敏感芯片加工方法，包括以下步骤：首先湿法腐蚀制作腔体深度参考槽，以该槽为参考在硅晶圆刻蚀腔体，并在腔体表面重复交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜制作光学增反膜；然后在玻璃晶圆表面重复交替沉积氧化硅和氮化...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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