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一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底上具有鳍部；位于衬底上的隔离层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构横跨于鳍部上；位于栅极结构两侧的鳍部内的第二源漏开口，第二源漏开口包括第一区以及位于第一区上的第二区，第一区沿第二方向具有第一尺寸，第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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