下载一种应用于硅光芯片的耦合结构的技术资料

文档序号:33386399

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本申请提出一种耦合结构,包括设置在衬底上的至少两层氮氧化硅层,每一层氮氧化硅层在光输入端配合实现光的耦合。每一层氮氧化硅层沿着垂直于衬底平面的方向叠置,越接近衬底的氮氧化硅层中的氧原子数量与氮原子数量之比值越小。设计包层作为耦合结构的最外层...
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