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本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一可控硅和一Ｎ型晶体管，可控硅是一个ＰＮＰＮ结构，Ｐ型一端接芯片内部电路的外部信号输入端，Ｎ型一端接地；Ｎ型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；可控硅构成的电路工作时Ｐ...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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