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本发明公开了一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法,属于离型膜生产技术领域,包括以下制备步骤:步骤一、选择三种份配比方案,配比:ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂,然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗;步骤二、通过多...该专利属于河南源宏高分子新材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过河南源宏高分子新材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法,属于离型膜生产技术领域,包括以下制备步骤:步骤一、选择三种份配比方案,配比:ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂,然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗;步骤二、通过多...