温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种由比较器３、２０，与门４、２１、ＮＰＮ晶体管５、２３、齐纳二极管６、二极管１０、１２、１４，电阻９、１１、１３、１６、１７、１８、２２，电容１５、１９、２４，缓冲器８、延时网络１，基准电压２、２９，绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）...
该专利属于北京电力电子新技术研究开发中心所有，仅供学习研究参考，未经过北京电力电子新技术研究开发中心授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。