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本发明提供一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，HEMT的外延结构包括：衬底，具有相对的第一主面和第二主面；应力补偿层，位于所述衬底的第二主面上，所述应力补偿层包括第一缓冲层；位于所述衬底的第一主面上的第二缓冲层和器件功能层，所述器...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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