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一种高触发电流的硅控整流器，建构于半导体基底上并定义有一电性相异的阱区。阱区及半导体基底中分别形成一Ｐ掺杂区及一Ｎ掺杂区。其中，阱区中的Ｐ掺杂区及Ｎ掺杂区相连，做为硅控整流器电路的阳极；而半导体基底中的Ｐ掺杂区及Ｎ掺杂区则与形成于半导体基底...
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