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本发明属于图案化阵列薄膜制备技术领域，具体涉及一种图案化单晶钙钛矿阵列薄膜的制备方法与应用，基于分子外延定位生长。本发明使用NH2‑
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该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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