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本申请公开了磁传感器设备。一种集成传感器设备(920；970；1070)，包括：半导体衬底，包括水平霍尔元件(Hc)和大致位于该水平霍尔元件(Hc)上方的集成磁通量集中器(911；1011)，其中，第一磁通量集中器具有几何中心与水平霍尔元件...
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