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本发明公开了一种利用ＮＭＯＳ的防静电保护结构，使用ＮＭＯＳ作为构成静电保护电路的基本器件，其中ＮＭＯＳ为偶数个且至少为四个且在漏区加入场隔离下的Ｎ阱电阻；该静电保护电路中央各设置一个ＮＭＯＳ，其栅极并联，漏极也并联；除静电保护电路中央设置的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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