温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种RFLDMOS器件及其制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延层上方生长厚栅氧层，光刻打开源区形成区域、靠源的部分栅极形成区域以及靠栅的部分漂移区形成区域，利用湿法刻蚀工艺去除光刻打开区域的厚栅氧层，并在剩余的厚栅氧层的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。