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本发明涉及LED器件生产技术领域，具体涉及一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法，包括：步骤S1：于一基板上形成多个所述LED器件；步骤S2：于所述LED器件的部分表面形成牺牲层，对所述LED器件进行蚀刻，于所述LED器件的侧面...
该专利属于至微半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至微半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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