温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法，包括：步骤S1：形成一牺牲层，于所述牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；步骤S2：于所述牺牲层上沉积形成一外延层；所述外延层的材质为所述三五族化合物；步骤S3：对所...
该专利属于至微半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至微半导体（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。