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本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底，包括：步骤S1：于基板上形成一掩膜层；所述掩膜层上具有多个第一突出部；步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；步骤S3：对所述过渡层进行表面修...
该专利属于至微半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至微半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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