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本公开提供了一种具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底与AlN层之间增加杂质阻挡层，且杂质阻挡层为TiC膜层。由于TiC中的C原子位于Ti子晶格的所有八面体位置，是一种紧密堆积的间隙化合物，能够...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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