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本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、器件及设备。该制备方法包括：获取支撑衬底；在所述支撑衬底上制备基础层；在所述基础层上制备碳掺杂的氮化镓缓冲层；其中，在制备所述氮化镓缓冲层时引入碳源对所述氮化镓缓冲...
该专利属于中晟光电设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中晟光电设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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