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本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置，所述方法包括：(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后，关闭原料进口和尾气出口，向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒降温；(2)当所述硅棒的温度降至600
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