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本发明涉及一种电容器及其制造方法和DRAM，属于半导体技术领域，解决了现有接触孔的深度加深存在技术限制和宽度扩大会增大存储单元尺寸的问题。方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和多个堆叠结构层，每个堆叠结构层包括模制层和...
该专利属于真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。

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