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本发明涉及一种用于聚变中子发生器伴随粒子成像的高计数率α粒子探测方法能够有效提高聚变中子源伴随粒子成像系统的测量计数率和定时精度。该方法包括:通过设置半导体探测器的阻挡层、探测灵敏区厚度及减薄电极与衬底厚度和等措施,减小氘氚中子源内的干扰粒...该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。
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本发明涉及一种用于聚变中子发生器伴随粒子成像的高计数率α粒子探测方法能够有效提高聚变中子源伴随粒子成像系统的测量计数率和定时精度。该方法包括:通过设置半导体探测器的阻挡层、探测灵敏区厚度及减薄电极与衬底厚度和等措施,减小氘氚中子源内的干扰粒...