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本发明提供一种双向阻断功率MOS器件及其制造方法。通过离子注入或多次外延的工艺方式，从而实现正反向均可耐压的功率MOS器件。相比于传统BMS中采用对管或者双管串联的方式，本发明所提出的器件具有以下优点：第一，本发明所提出的器件相较于传统实现...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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