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本发明实施例提供了一种背照式图像传感器及其制备方法。该方法包括：提供包括感光单元的半导体衬底；在所述半导体衬底的背面，形成深沟槽；通过外延生长，在所述深沟槽表面形成掺杂外延层；其中，在所述深沟槽的侧壁上形成侧向PN结。在所述深沟槽外延层上继...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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